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SH8M41
? Electrical characteristics (Ta = 25 ? C)
<Tr2(Pch)>
　
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
-
Typ.
-
Max.
? 10
Unit
? A
Conditions
V GS = ? 20V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS
? 80
-
-
V
I D = ? 1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
I DSS
-
? 1
? A
V DS = ? 80V, V GS =0V
Gate threshold voltage
V GS (th)
? 1.0
-
? 2.5
V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
Static drain-source on-state
resistance
R DS (on) *
-
-
-
165
220
230
240
300
310
I D = ? 2.6A, V GS = ? 10V
m ? I D = ? 1.3A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 1.3A, V GS = ? 4.0V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
l Y fs l *
C iss
C oss
C rss
t d(on) *
t r *
t d(off) *
t f *
Q g *
Q gs *
Q gd *
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1000
90
40
14
12
60
20
8.2
2.5
2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
11.5
-
-
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
I D = ? 2.6A, V DS = ? 10V
V DS = ? 10V
V GS =0V
f=1MHz
I D = ? 1.3A, V DD ? 40V
V GS = ? 10V
R L =31 ?
R G =10 ?
I D = ? 2.6A
V DD ? 40V
V GS = ? 5V
*Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta = 25 ? C)
Parameter
Forward Voltage
Symbol
V SD *
Min.
-
Typ.
-
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I s = ? 1.6A, V GS =0V
*Pulsed
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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